東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 量子イノベーション協創センター

【研究】田中教授らが酸化物半導体上に高移動度の2次元正孔伝導を実現

田中雅明教授(工学系研究科)、大矢忍准教授(同)らは酸化物半導体の表面上に高移動度の2次元正孔伝導の実現に成功しました。SrTiO3基板上に超高真空下で0.25nm以下の鉄薄膜を蒸着後、大気下で酸化鉄を形成しました。SrTiO3基板と酸化鉄はともに絶縁体ですが、界面では非常に高い移動度(10Kにおいて約24,000cm2/Vs)を持つ2次元正孔伝導が起こることを初めて明らかにしました。SrTiO3と他の酸化物界面では電子伝導が起こることは良く知られていましたが、高い正孔伝導を確認したのはこれが初めてです。また膜厚により正孔、電子伝導を制御でき、デバイス作成の点でも利点があります。
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