<シンポジウム案内>
平成19年3月2日
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

公開シンポジウム
「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」


このたび、ナノ光・電子デバイスおよび量子情報エレクトロニクスを中心テーマと した公開シンポジウムを来たる3月20日(火)、御茶ノ水・東京ガーデンパレスにて 下記の要領にて開催することとなりました。
本シンポジウムは、文部科学省世界最先端IT国家実現重点研究開発プロジェクトおよび 振興調整費「ナノ量子情報エレクトロニクス連携研究拠点」プロジェクトの共同主催です。 特に、ITプログラムについては最終報告会として位置づけております。 皆様には、万障お繰り合わせの上ご出席を賜りますようお願い申し上げます。

東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構長
同  ナノエレクトロニクス連携研究センター長
教授  荒川 泰彦


参加ご希望の方は、下の申込方法に従い,電子メールにてお申込下さい。
(締切:3月14日)



[日時]
    平成19年3月20日(火) 9:30〜 (18:15〜 懇談会)
[場所]
    東京ガーデンパレス(東京、御茶ノ水) 2階高千穂の間
[参加費]
    無料 (懇談会:1,000円)

[プログラム] (3月19日更新)--- PDF ファイル

    オープニングセッション (9:30-10:15)
                司会:横山直樹(富士通研究所)
        9:30 開会挨拶
                榊 裕之 (東京大学)
        9:35 来賓挨拶
                藤木完治 (文部科学省審議官)
        9:45 ITプログラム光電子デバイスプロジェクトの総括と
             先端融合イノベーション創出拠点プロジェクトの概要
                荒川泰彦 (東京大学)

    セッション1: 量子ドット及び新ナノ材料の形成とデバイス展開 (10:15-11:20)
                司会:横山直樹(富士通研究所)
        10:15 概要及びMBEによるInAs系量子ドットの形成とレーザ素子への展開
                塚本史郎 (東京大学)
        10:35 MOCVDによるInAs系量子ドットの形成とレーザ素子への展開
                Denis Guimard (東京大学)
        10:50 GaInNAs系量子ドットの形成とレーザ素子への展開
                櫛部光弘 (東芝)
        11:05 大面積有機半導体形成技術とデバイス応用
                染谷隆夫 (東京大学)

    休憩 (11:20-11:30)

    セッション2: 光子制御ナノ構造によるデバイス展開 (11:30-12:50)
                司会:古澤 明 (東京大学)
        11:30 概要、高Q値フォトニック結晶ナノ共振器および関連デバイス技術
                野田 進 (京都大学)
        11:50 フォトニック結晶光デバイス
                馬場俊彦 (横浜国立大学)
        12:05 量子ドットを有するフォトニック結晶とMEMS集積化フォトニック結晶デバイス
                岩本 敏 (東京大学)
        12:20 フォトニック結晶微小回路
                五明明子 (NEC)
        12:35 フォトニック結晶分散補償素子
                勝山俊夫 (東京大学、日立製作所)

    ポスターセッションおよび昼食(12:50-14:20)
        (詳細はPDFファイルをご参照ください。)

    セッション3: 光・電子制御技術の基礎 (14:20-15:10)
                司会:今井 浩 (東京大学)
        14:20 概要および単一量子ドットの伝導現象とその制御
                平川一彦 (東京大学)
        14:40 量子ドットにおける核スピンと電子スピンの電気的・光学的制御
                樽茶清悟 (東京大学)
        14:55 量子ドットの光・電子物性制御
                中岡俊裕 (東京大学)

    セッション4: ナノ光電子デバイス技術の展開 (15:10-16:15)
                司会:山口浩一 (電気通信大学)
        15:10 概要及び量子ドット光増幅器・レーザ
                菅原 充 (富士通研究所, 株式会社QDL)
        15:30 通信用単一光子発生素子
                臼杵達哉 (東京大学, 富士通研究所)
        15:45 窒化ガリウム量子ドット高温動作単一光子光源
                加古 敏 (東京大学)
        16:00 室温動作シリコン単電子デバイス
                平本俊郎 (東京大学)

    休憩 (16:15-16:25)

    セッション5: 特別講演 (16:25-18:10)
                司会:荒川泰彦 (東京大学)
        16:25 The new high-Q physics: nonlinear sources back-action
             mechanical cooling, and micro-chip cavity-QED
                Kerry Vahala (California工科大学)
        17:15 産業界からの期待
      笠見昭信(東芝)、曽根純一(NEC)、安永裕幸(経済産業省)、吉川誠一(富士通研究所)

    クロージングセッション
        18:10 閉会挨拶
                石田寛人 (東京大学)

    懇談会

[主催]
    東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
    東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
[共催]
    財団法人 光産業技術振興協会
[後援]
    独立行政法人 新エネルギー・産業技術開発機構(NEDO)


[問い合わせ]
    岩本 敏
    e-mail : iwamoto[at]iis.u-tokyo.ac.jp
    ([at]は@に置き換えてご使用下さい。)


参加申し込み方法

下記の必要事項をご記入の上、ncrc[at]iis.u-tokyo.ac.jp 宛に電子メールにてお申し込みください。
(メールアドレスは[at]を@に置き換えてご使用下さい。)
尚、Subjectは必ず「シンポジウム申込」としてください。

申込締切:2007年3月14日(水)

申込フォーマット

・お名前 [ ]
・ご所属 [ ]
・ご連絡先[ ]
・申し込み内容 [講演会のみ・講演会および懇談会・懇談会のみ]
(いずれかを残してください)