田中雅明教授、高橋琢二教授らの共同研究グループが非磁性/強磁性半導体ヘテロ接合を作製し、磁場の向きを変えると電気抵抗変化の符号が変わり、その変化率が27％もの巨大な奇関数の磁気抵抗効果を示すことを見出しました。「対称性の破れ」に起因した物質の性質や機能に与える効果を明らかにするとともに、この奇関数磁気抵抗効果を外部磁場で制御できることも確認しました。この成果は次世代のスピントロニクスや量子デバイス応用に期待されます。この成果論文は11月9日付の英国科学雑誌「Nature Communications」に掲載されました。
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