竹中充教授らの東京大学グループとSTマイクロエレクトロニクスは共同で光吸収層として化合物半導体（InGaAs）をシリコン光導波路上に張り付けたフォトトランジスタを開発し、導波路型で最高感度を実証しました。シリコン導波路をゲート電極とすることで、1兆分の1ワットときわめて微弱な光信号の検出に成功しました。これによりシリコン光回路中の光信号モニターが容易になることで、深層学習や量子計算用光回路の高速制御につながると期待されます。この成果論文は12月9日付英国科学誌「Nature Communications」で公開されました。
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