大矢忍教授、田中雅明教授らの共同研究グループはスピントランジスタの基本となる強磁性体/半導体/強磁性体構造からなる横型2端子素子を単結晶酸化物を用いて作製し、140%以上と従来の10倍以上の実用レベルの大きな磁気抵抗比を実現しました。イオン注入により、酸化物単結晶の結晶性を損なわずに作製したのがポイントで、3端子素子も作製し、ゲート電圧により電流変調にも成功しました。トランジスタ機能と無給電で長期間記憶保持できる不揮発性メモリ機能を合わせ持つ省エネのスピントランジスタとして実現が期待されます。この成果論文は5月30日付「Advanced Materials」オンライン版に掲載されました。
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