平本俊郎教授、小林正治准教授らは奈良先端科学技術大学院大学と共同で原子堆積法を用いてゲートが酸化物半導体ナノ薄膜を覆う、ナノシートトランジスタを開発し、高移動度と高バイアス耐性を実現しました。半導体のさらなる高集積化と高機能化が可能になり、ビッグデータを利活用する社会サービスの展開が期待されます。この成果は京都で開催の”2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits”で6月15日に発表。
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