田中雅明教授らの東京大学グループおよび理化学研究所などが加わった共同研究グループは強磁性半導体（In, Fe）Asを含む半導体量子井戸構造に非常に短いパルスレーザーを照射することにより、600フェムト秒とピコ秒以下の超高速で磁化を増大させることに初めて成功しました。この超高速磁化制御は、従来のキャリア濃度の変化によるものではなく、半導体中の波動関数を制御する画期的なもので、今回、波動関数制御によるものを初めて実証しました。この成果はテラヘルツ周波数帯で超高速かつ超低消費電力で動作できるスピントロニクスデバイスや量子デバイスにつながるものと期待されます。この成果論文は、科学誌「Advanced Materials」7月28日付オンライン版に公開されました。
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