大矢忍教授、田中雅明教授らの共同研究グループは、FeとMgOの2層からなる電極をもち、B添加Geの20nmのチャネル長を持つ2端子デバイスにおいて、磁場で制御可能な巨大磁気抵抗スイッチ効果を初めて観測することに成功しました。まだ低温での観測だが、磁場を掛けるだけで抵抗変化は25000%にも及び、スピンを利用した抵抗ランダムアクセスメモリやニューロモルフィックコンピューティングデバイスなどの実現につながると期待されます。この成果論文は「Advanced Materials」オンライン版に公開されました。
[Link]