竹中充教授らの研究グループは強誘電体の二酸化ハフニウムジルコニウム(ZrHfO2)に外部電界を加えることで生じる不揮発的屈折率変調を世界で初めて観測することに成功しました。透過電子顕微鏡による詳細分析でこの不揮発的屈折率変調はZrHfO2中の自発分極の変化が要因であることも解明しました。さらに今回、窒化シリコン光導波路上にZrHfO2を堆積した光移相器を作製し、電圧印加により不揮発的に光位相を変調することにも成功し、将来、シリコン光回路に集積することでプログラミング可能な光回路の実現にもつながります。この成果論文は5月9日付の英国科学誌「Nature Communications」online版に公開されました。
[Link]