田中雅明教授ら（工学研究科）は強磁性半導体GaMnAsの単層薄膜に電流を流すことにより生じる「スピン起動トルク」を利用して、世界最小の電流密度で磁化反転することに成功しました。電流で生じる磁場によって磁化反転を阻害するトルク成分を抑制する工夫で実現しました。新たな強磁性材料開拓や素子構造探索につながる成果と期待されます。この成果論文は11月30日（月）付Nature Electronics電子版で公開されました。
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