田中雅明教授(工学系研究科）らが国立研究開発法人日本原子力研究開発機構（JAEA）、東京工業大学、京都産業大学と共同で強磁性半導体の原子レベルでの強磁性発現メカニズムを明らかにすることに成功しました。大型放射光施設Spring-8を利用し、（Ga,Mn）As中のMn原子の磁性情報だけを抜き出し、温度降下とともにMn原子が常磁性から強磁性状態に変化していく過程を詳細に観察し、原子レベルで強磁性発現機構を明らかにしました。強磁性半導体の性能向上や次世代スピントロニクスデバイスの室温動作に向けた指針づくりにも役立つと期待されます。この成果論文は米国の「Journal of Applied Physics」の12月4日付電子版に掲載され、同誌表紙に選定されるとともに、Featured Articleとして解説記事と併せて公開されました。
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