田中雅明教授（工学系研究科）らと福島工業高等専門学校の共同研究グループは単元素のα-スズ（α-Sn)が持つトポロジカル・ディラック半金属特性を世界で初めて実証しました。最先端の結晶成長技術を駆使し、α-Sn単結晶をⅢⅤ族半導体上に高品質成長させ、同単結晶が様々なトポロジカル相に転移できる親の相として重要なトポロジカル・ディラック半金属性を持つことを実証したものです。これにより、他の半導体との整合性にすぐれ、環境にもやさしい同材料がトポロジカル物性機能の開拓と量子情報デバイスの新しいプラットフォームとなると注目されます。この成果は10月14日（水）付Advanced Materialsオンライン版に公開されました。
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