竹中充教授らは化合物半導体薄膜をシリコン光導波路上に張り合わせた光位相器を強誘電体トランジスタで駆動する手法を考案しました。強誘電体をメモリとすることで、電源をオフにしても光位相の情報が失われない不揮発動作を光位相器でも実現しました。これにより、必要な時だけ、電源をオンにする光電融合プロセッサを実現でき、膨大な演算を要する生成AIなどに必要となる演算の高速化、省電力化につながります。この成果論文は10月６日にドイツの科学雑誌「Laser & Photonics Reviews」オンライン版に公開されました。
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