平本俊郎教授（生産技術研究所）らはパワートランジスタの一種である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）のMOSゲートをシリコン基板の表面だけでなく、裏面にも設けた「両面ゲートIGBT」を初めて試作し、従来のIGBTと比べ、スイッチング損失を62%低減することに成功しました。平本教授らは、三菱電機、東京工業大学などの産学研究グループと共同で両面リソグラフィー技術を用いて初めて実現したもので、電力需要の大幅な抑制に寄与する成果と注目されます。この成果はOnline会議のIEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）で発表されました。
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